自英特爾發(fā)布IDM2.0以來，新CEO帕特·基辛格正帶領(lǐng)英特爾進行更多變革。

7月27日，英特爾公布了制程工藝和封裝技術(shù)創(chuàng)新路線圖，整體發(fā)展策略一路規(guī)劃到了2025年。

在發(fā)布會上，帕特·基辛格和一眾高管介紹了兩方面的重要信息。其一是英特爾宣布了未來5年的技術(shù)路線圖，對芯片的制程工藝進行了新的命名，從“納米”進入“埃米”時代。10納米Enhanced SuperFin更名為“Intel 7”，Intel 7納米更名為“Intel 4”，其后是“Intel 3”，下一代將是“Intel 20A”、 “Intel 18A”。

其中，A代表埃米，這是晶體學(xué)、原子物理、超顯微結(jié)構(gòu)等常用的長度單位，1等于納米的十分之一。英特爾表示，隨著行業(yè)越來越接近“1納米”節(jié)點，英特爾改變命名方式，這一命名反映了向新時代的過渡，即工程師在原子水平上制造器件和材料的時代——半導(dǎo)體的埃米時代。

對于納米的命名，一直以來也有諸多爭議，從1997年開始，基于納米的傳統(tǒng)制程節(jié)點命名方法，不再與晶體管實際的柵極長度相對應(yīng)。比如由于各公司定義不同，往往業(yè)內(nèi)將英特爾10納米和英特爾7納米工藝進行比較。而在業(yè)界持續(xù)從5納米向3納米、2納米發(fā)展的同時，英特爾欲重新定義命名規(guī)則和競爭策略，重回領(lǐng)先制程的地位。

另一方面，英特爾宣布了代工服務(wù)（IFS）的最新進展，亞馬遜（AWS）將成為首個使用英特爾代工服務(wù)（IFS）封裝解決方案的客戶，眾所周知，亞馬遜（AWS）一直在自研芯片，不過英特爾并未透露具體的合作產(chǎn)品。在Intel 20A制程工藝技術(shù)上，英特爾表示將與高通公司進行合作，Intel 20A預(yù)計將在2024年推出。晶圓代工市場也更加熱鬧，三星一擲千金想要和臺積電決一雌雄，如今英特爾也發(fā)起代工的挑戰(zhàn)，欲重回巔峰。

具體從技術(shù)路線看，根據(jù)英特爾的介紹，基于FinFET晶體管優(yōu)化，Intel 7與Intel 10納米SuperFin相比，每瓦性能將提升約10%-15%。2021年即將推出的Alder Lake客戶端產(chǎn)品將會采Intel 7工藝，之后是面向數(shù)據(jù)中心的Sapphire Rapids預(yù)計將于2022年第一季度投產(chǎn)。

Intel 4完全采用EUV光刻技術(shù)，憑借每瓦性能約20%的提升以及芯片面積的改進，Intel 4將在2022年下半年投產(chǎn)，并于2023年出貨，這些產(chǎn)品包括面向客戶端的Meteor Lake和面向數(shù)據(jù)中心的Granite Rapids；Intel 3較之Intel 4將在每瓦性能上實現(xiàn)約18%的提升，在芯片面積上也會有額外改進。Intel 3將于2023年下半年開始用于相關(guān)產(chǎn)品生產(chǎn)。

英特爾表示，Intel 20A具有RibbonFET和PowerVia兩大突破性技術(shù)。RibbonFET是英特爾對Gate All Around晶體管的實現(xiàn)，它將成為公司自2011年率先推出FinFET以來的首個全新晶體管架構(gòu)。該技術(shù)加快了晶體管開關(guān)速度，同時實現(xiàn)與多鰭結(jié)構(gòu)相同的驅(qū)動電流，但占用的空間更小。PowerVia是英特爾獨有的、業(yè)界首個背面電能傳輸網(wǎng)絡(luò)，通過消除晶圓正面供電布線需求來優(yōu)化信號傳輸。

同時，從Intel 20A更進一步的Intel 18A節(jié)點也已在研發(fā)中，將于2025年初推出，它將對RibbonFET進行改進，提升晶體管性能。英特爾還表示，有望率先獲得業(yè)界第一臺High-NA EUV光刻機。英特爾正與ASML密切合作，確保這一行業(yè)突破性技術(shù)取得成功，超越當前一代EUV。

帕特·基辛格表示，摩爾定律仍在持續(xù)生效，對于未來十年走向超越“1納米”節(jié)點的創(chuàng)新，英特爾有著一條清晰的路徑。在窮盡元素周期表之前，摩爾定律都不會失效。