2025年4月，碳化硅（SiC）市場呈現“上游跌價、下游缺貨”的怪圈：6英寸導電型襯底價格從1200美元/片跌至850美元（同比-29%），但功率器件交期仍長達20周。這種割裂源于襯底產能結構性過剩與器件制造的工藝瓶頸。

1. 襯底端：中國軍團“低價傾銷”與海外企業“技術卡位”

中國產能井噴：天岳先進、天科合達等企業2025年6英寸襯底產能突破50萬片/年，但良率僅65%（Wolfspeed達85%），導致成本競爭白熱化；

海外策略轉向：Coherent放棄8英寸以下襯底業務，聚焦8英寸“零微管”技術，產品溢價超50%；

價格戰后果：山東天岳2025年Q1毛利率跌至18%，較2024年同期腰斬，但市場份額從12%升至22%。

2. 器件端：車規級認證與良率“死亡谷”

車規認證壁壘：英飛凌、安森美等國際巨頭壟斷AEC-Q101認證資源，國內企業通過率不足30%；

良率鴻溝：SiC MOSFET制造良率僅40%（硅基IGBT達95%），導致650V/1200V器件實際成本較標價高30%；

下游“保供”策略：特斯拉為Model 3改款車型支付30%溢價鎖定STMicroelectronics產能，凸顯供應鏈話語權爭奪。

3. 未來變局：8英寸與垂直整合

8英寸革命：2025年全球8英寸SiC襯底產能達15萬片/年，但設備投資成本是6英寸的3倍，中小企業望而卻步；

IDM模式崛起：三安光電投資160億元建設SiC IDM產線，目標2026年實現襯底-外延-器件全鏈條成本下降40%；

技術路線之爭：日立功率半導體押注“溝槽柵+雙面冷卻”技術，較平面型器件導通電阻降低60%，或重塑行業格局。